Исследование экситонных и примесных состояний в кристаллах и эпитаксиальных слоях полупроводников GaN, GaP, ВP, SiC, GaAs, InAs и твердых растворов на их основе спектроскопическими и люминесцентными методами: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.07)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Жумакулов, У. |
| Опубликовано: | Л. , 1983 |
| Физические характеристики: |
43 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr10231380000 | ||
| 005 | 20061120182956.0 | ||
| 021 | # | # | $b [83-14708а] |
| 100 | # | # | $a 20061120d1983 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование экситонных и примесных состояний в кристаллах и эпитаксиальных слоях полупроводников GaN, GaP, ВP, SiC, GaAs, InAs и твердых растворов на их основе спектроскопическими и люминесцентными методами $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $e (01.04.07) |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1983 |
| 215 | # | # | $a 43 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Ленингр. политехн. ин-т им. М. И. Калинина. Библиогр.: с. 41-43 (29 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Жумакулов $b У. $g Урал |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20061120 $g psbo |