Исследование экситонных и примесных состояний в кристаллах и эпитаксиальных слоях полупроводников GaN, GaP, ВP, SiC, GaAs, InAs и твердых растворов на их основе спектроскопическими и люминесцентными методами: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.07)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Жумакулов, У. |
| Опубликовано: | Л. , 1983 |
| Физические характеристики: |
43 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||