|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br760241 |
| 005 |
20200910093307.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20051004d2004 u y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a ru
|
| 105 |
# |
# |
$a a 001yy
|
| 109 |
# |
# |
$a aa
$a ac
|
| 200 |
1 |
# |
$a Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(AL)GaAs, формируемых методом мос-гидридной эпитаксии
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e 05.27.06
$f Андреев Андрей Юрьевич
$g [Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В.Ломоносова (МИТХТ)]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2004
|
| 215 |
# |
# |
$a 23 с.
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиография: с. 22-23.
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar77625
$a НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ СИСТЕМЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2171416
$a КОНЦЕНТРАЦИЯ (хим.)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar18658
$a МОДЕЛИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39622
$a ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7368
$a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7446
$a ГИДРИДЫ
$2 DVNLB
|
| 607 |
# |
# |
$3 BY-NLB-ar57232
$a Российская Федерация
$2 BY-auth
|
| 660 |
# |
# |
$a e-ru
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13.14
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.06
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-325783
$a Андреев
$b А. Ю.
$g Андрей Юрьевич
$c доктор исторических наук
$c кандидат физико-математических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20051004
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060901
$g psbo
|
