Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(AL)GaAs, формируемых методом мос-гидридной эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: 05.27.06 / Андреев Андрей Юрьевич
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Андреев, А. Ю. |
| Опубликовано: | Москва , 2004 |
| Физические характеристики: |
23 с.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||