Физико-химические аспекты формирования нанослоевых структур контактов Ir-GaAs n-типа в условиях халькогеной пассивации поверхности полупроводника и электрохимического осаждения металла: автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук: 02.00.04 / Фомина Лариса Валерьевна
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Фомина, Л. В. |
| Опубликовано: | Барнаул , 2003 |
| Физические характеристики: |
23 с.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||