Физико-химические аспекты формирования нанослоевых структур контактов Ir-GaAs n-типа в условиях халькогеной пассивации поверхности полупроводника и электрохимического осаждения металла: автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук: 02.00.04 / Фомина Лариса Валерьевна
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Фомина, Л. В. |
Опубликовано: | Барнаул , 2003 |
Физические характеристики: |
23 с.
|
Язык: | Русский |
Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|