Физико-химические аспекты формирования нанослоевых структур контактов Ir-GaAs n-типа в условиях халькогеной пассивации поверхности полупроводника и электрохимического осаждения металла: автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук: 02.00.04 / Фомина Лариса Валерьевна

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад123182,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Фомина, Л. В.
Опубликовано: Барнаул , 2003
Физические характеристики: 23 с.
Язык: Русский
Предмет:

ОФХ отдела книгохранения

Всего : 1 , доступно: 1 Доступно  Заказать

Информация об экземплярах

Шифр Фонд Место нахождения Статус экземпляра Читальный зал
2Ад123182 ОФХ отдела книгохранения (039) 11:4:2:79 СВОБОДЕН Рекомендованный ЧитЗал