Dielectric properties of ion implanted silicon layers / [Auth.]:P.Zukowski,J.Partyka,P.Wegierek a.o.

Сохранено в:
Шифр документа: 1Ок93655(ДХ),
Вид документа: Книги
Опубликовано: Dubna , 1996
Физические характеристики: 6 p.
Язык: Английский
Серия: Communication E14-96-245)
Предмет:
00000cam0a22000004ib4500
001 BY-NLB-br67767
005 20130829131249.0
010 # # $d 3000 r. 
100 # # $a 19940530d1996 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a eng 
102 # # $a ru 
105 # # $a y 000yy 
109 # # $a aa 
200 1 # $a Dielectric properties of ion implanted silicon layers  $f [Auth.]:P.Zukowski,J.Partyka,P.Wegierek a.o. 
210 # # $a Dubna  $d 1996 
215 # # $a 6 p. 
225 1 # $a Communication  $f The Joint Inst.for Nuclear Research  $v E14-96-245) 
300 # # $a Ref.:p.6 
345 # # $9 300 экз. 
606 0 # $3 BY-NLB-ar35849  $a ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar15096  $a КРЕМНИЙ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar12158  $a ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar9573  $a ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar53489  $a ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar35850  $a ФІЗІКА ЦВЁРДАГА ЦЕЛА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar9576  $a ДЫЭЛЕКТРЫКІ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar15097  $a КРЭМНІЙ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar12159  $a ІОННАЯ ІМПЛАНТАЦЫЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar9574  $a ДЫЭЛЕКТРЫЧНАЯ ПРАНІКАЛЬНАСЦЬ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar53490  $a ДЫЭЛЕКТРЫЧНЫЯ СТРАТЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar9575  $a ДИЭЛЕКТРИКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar87382  $a ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ  $2 DVNLB 
675 # # $a 537.226.2/.3  $v 3  $z rus 
675 # # $a 538.956  $v 3  $z rus 
686 # # $a 29.19.33  $2 rugasnti 
702 # 1 $3 BY-SEK-262894  $a Zukowski  $b P. 
702 # 1 $3 BY-SEK-262895  $a Partyka  $b J. 
702 # 1 $3 BY-SEK-331917  $a Wegeirek  $b P. 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19940530  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060314  $g psbo