|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ib4500 |
001 |
BY-NLB-br67767 |
005 |
20130829131249.0 |
010 |
# |
# |
$d 3000 r.
|
100 |
# |
# |
$a 19940530d1996 u y0rusy50 ||||ca
|
101 |
0 |
# |
$a eng
|
102 |
# |
# |
$a ru
|
105 |
# |
# |
$a y 000yy
|
109 |
# |
# |
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Dielectric properties of ion implanted silicon layers
$f [Auth.]:P.Zukowski,J.Partyka,P.Wegierek a.o.
|
210 |
# |
# |
$a Dubna
$d 1996
|
215 |
# |
# |
$a 6 p.
|
225 |
1 |
# |
$a Communication
$f The Joint Inst.for Nuclear Research
$v E14-96-245)
|
300 |
# |
# |
$a Ref.:p.6
|
345 |
# |
# |
$9 300 экз.
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar35849
$a ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15096
$a КРЕМНИЙ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12158
$a ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar9573
$a ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar53489
$a ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar35850
$a ФІЗІКА ЦВЁРДАГА ЦЕЛА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar9576
$a ДЫЭЛЕКТРЫКІ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15097
$a КРЭМНІЙ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12159
$a ІОННАЯ ІМПЛАНТАЦЫЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar9574
$a ДЫЭЛЕКТРЫЧНАЯ ПРАНІКАЛЬНАСЦЬ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar53490
$a ДЫЭЛЕКТРЫЧНЫЯ СТРАТЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar9575
$a ДИЭЛЕКТРИКИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar87382
$a ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ
$2 DVNLB
|
675 |
# |
# |
$a 537.226.2/.3
$v 3
$z rus
|
675 |
# |
# |
$a 538.956
$v 3
$z rus
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.33
$2 rugasnti
|
702 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-262894
$a Zukowski
$b P.
|
702 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-262895
$a Partyka
$b J.
|
702 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-331917
$a Wegeirek
$b P.
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 19940530
$g psbo
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060314
$g psbo
|