Влияние уровня возбуждения на процессы безызлучательной рекомбинации на точечных дефектах структуры в полупроводниках: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников и диэлектриков / Шадурская Людмила Иосифовна
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Шадурская, Л. И. (род. 1949) |
| Опубликовано: | Минск , 1981 |
| Физические характеристики: |
12 с.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: | |
| Е-документ: |
E-документ
|
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 2 , доступно: 2 | Доступно Заказать | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
||||||||||||||||