Схожие документы

• Тепловое расширение, среднеквадратичные смещения и ангармонизм колебаний атомов Si, BN{н.инд.}(β), GaP и твердых полупроводниковых растворов систем (JnP){н.инд.}(x)(JnAs){н.инд.}(1-x), (GaAs){н.инд.}(x) (JnAs){н.инд.}(1-x) в области 7-10 K по рентгеновским данным [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 03.08.88: (01.04.07). - Брянск, 1987. - 224 с.
  Автор: Сидоров, А. А.
  Опубликовано: (1987)
• Исследование оптических свойств твердых растворов (GaP)х(InAs)1-х, GaPxAs1-x, GaxIn1-хP, InPхАs1-х: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников и диэлектриков / Смирнова Галина Федоровна. - Минск, 1977. - 14 с.
  Автор: Смирнова, Г. Ф.
  Опубликовано: (1977)
• Жидкофазная эпитаксия и физико-химические свойства непрерывных твердых растворов Si1-xGex1, Si1-xSnx, (Si2)1-x(GaAs)x1, (Ge2)1-x(GaAs)x1, (Si2)1-x(GaP)x, (Si2)1-x(ZnS)x: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: 01.04.10 / Сапаев Байрамдурды. - Ташкент, 2009. - 39 с.
  Автор: Сапаев, Б.
  Опубликовано: (2009)