Исследование широкозонных полупроводников GaN, AIN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Смирнов Александр Николаевич
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Смирнов, А. Н. |
| Опубликовано: | Спб. , 2001 |
| Физические характеристики: |
24 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||