Разработка InSb/GaAs(100)-гетероструктур для фотоприемных устройств инфракрасного диапазона: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: 05.27.01 / Новосиб. гос. техн. ун-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Илюшин, В. А. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1999 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||