|
|
|
|
|
00000cam0a22000004id4500 |
| 001 |
BY-NLB-br176689 |
| 005 |
20130829140929.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 19990331d1999 u y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 001 y
|
| 109 |
# |
# |
$a ab
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Изовалентное легирование: управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров
$e Дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл.
$e 01.04.10
$f Рос. АН, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе
|
| 210 |
# |
# |
$a СПб.
$d 1999
|
| 215 |
# |
# |
$a 51 c.
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 46-51
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39092
$a ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar25538
$a ПРИМЕСИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar13524
$a КЛАСТЕРЫ (хим.)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24594
$a ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12159
$a ІОННАЯ ІМПЛАНТАЦЫЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39093
$a ЭЛЕКТРОННЫЯ ЎЛАСЦІВАСЦІ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar25539
$a ПРЫМЕСІ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24595
$a ПАЎПРАВАДНІКІ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6883
$a АРСЕНІД ГАЛІЮ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12158
$a ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar13525
$a КЛАСТАРЫ (хім.)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-br2203367
$a ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-457777
$a Чалдышев
$b В. В.
$g Владимир Викторович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 19990331
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060316
$g psbo
|
