Изовалентное легирование: управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров: Дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл.: 01.04.10 / Рос. АН, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Чалдышев, В. В. |
| Опубликовано: | СПб. , 1999 |
| Физические характеристики: |
51 c.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||