|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br175773 |
| 005 |
20080128155608.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 19991004d1999 u y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 105 |
# |
# |
$a y m 001yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур: нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
$e 01.04.10
$f Ин-т физики полупроводников Сиб. отд-ния РАН
|
| 210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 1999
|
| 215 |
# |
# |
$a 20 с.
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: c. 19-20 (19 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar18306
$a МИКРОСТРУКТУРЫ (физ.)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar17860
$a МЕМБРАНЫ (техн.)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar17861
$a МЕМБРАНЫ (тэхн.)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar82122
$a ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24594
$a ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar9575
$a ДИЭЛЕКТРИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar18307
$a МІКРАСТРУКТУРЫ (фіз.)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24595
$a ПАЎПРАВАДНІКІ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar9576
$a ДЫЭЛЕКТРЫКІ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar82123
$a ТУНЭЛЬНЫ ЭФЕКТ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.33
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-462822
$a Селезнев
$b В. А.
$g Владимир Александрович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 19991004
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060316
$g psbo
|
