Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур: нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников Сиб. отд-ния РАН
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Селезнев, В. А. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1999 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||