Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Рос. АН, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Ковш, А. Р. (род. 1973) |
| Апублікавана: | СПб. , 1998 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
24 с.
|
| Мова: | Руская |
| Прадмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||