Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Рос. АН, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад32746,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Ковш, А. Р. (род. 1973)
Опубликовано: СПб. , 1998
Физические характеристики: 24 с.
Язык: Русский
Предмет:

ОФХ отдела книгохранения

Всего : 1 , доступно: 1 Доступно  Заказать

Информация об экземплярах

Шифр Фонд Место нахождения Статус экземпляра Читальный зал
2Ад32746 ОФХ отдела книгохранения (039) 11:4:2:75 СВОБОДЕН Рекомендованный ЧитЗал