Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акценторами эпитаксиальном GaAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников, Сиб. отд-ние Рос. АН

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад30365,
格式: Авторефераты диссертаций
主要作者: Шамирзаев, Т. С.
出版: Новосибирск , 1998
實物描述: 17 с.
語言: Русский
主題:

ОФХ отдела книгохранения

Всего : 1 , доступно: 1 可用  預訂

Информация об экземплярах

Шифр Фонд Место нахождения Статус экземпляра Читальный зал
2Ад30365 ОФХ отдела книгохранения (039) 11:4:2:75 СВОБОДЕН Рекомендованный ЧитЗал