Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акценторами эпитаксиальном GaAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников, Сиб. отд-ние Рос. АН
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Шамирзаев, Т. С. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1998 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||