Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акценторами эпитаксиальном GaAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников, Сиб. отд-ние Рос. АН
Zapisane w:
| Format: | |
|---|---|
| 1. autor: | Шамирзаев, Т. С. |
| Wydane: | Новосибирск , 1998 |
| Opis fizyczny: |
17 с.
|
| Język: | Русский |
| Hasła przedmiotowe: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Dostępne Zamów | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||