Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акценторами эпитаксиальном GaAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников, Сиб. отд-ние Рос. АН
Guardado en:
| Formato: | |
|---|---|
| Autor principal: | Шамирзаев, Т. С. |
| Publicado: | Новосибирск , 1998 |
| Descripción Física: |
17 с.
|
| Lenguaje: | Русский |
| Materias: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Hacer reserva | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||