Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акценторами эпитаксиальном GaAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников, Сиб. отд-ние Рос. АН
Saved in:
| Format: | |
|---|---|
| Main Author: | Шамирзаев, Т. С. |
| Published: | Новосибирск , 1998 |
| Physical Description: |
17 с.
|
| Language: | Russian |
| Subjects: |
ОФХ отдела книгохранения
| All : 1 , available: 1 | Available Place a Hold | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||