|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br170375 |
| 005 |
20200910085557.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 19981217d1998 u y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 001yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акценторами эпитаксиальном GaAs
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
$e 01.04.10
$f Ин-т физики полупроводников, Сиб. отд-ние Рос. АН
|
| 210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 1998
|
| 215 |
# |
# |
$a 17 с.
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 15-17
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar53708
$a РЕКОМБИНАЦИЯ (физ., хим.)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39622
$a ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2393532
$a АКЦЕПТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15827
$a ЛЕГИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 610 |
0 |
# |
$a Нелегированные слои
|
| 610 |
0 |
# |
$a Нелегірованыя слаі
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-450436
$a Шамирзаев
$b Т. С.
$g Тимур Сезгирович
$c кандидат физико-математических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 19981217
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060316
$g psbo
|
