Исследование методом эллипсометрии диэлектрических и полупроводниковых структур микроэлектроники: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук: 01.04.10 / Гос унитар. предприятие "Науч.-произв. предприятие "Пульсар"", Акционер. об-во открыт. типа "НИИ микроэлектроники и нанотехнологии "Дельта""

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад29996,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Резвый, Р. Р.
Опубликовано: М. , 1998
Физические характеристики: 65 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br170136
005 20070615190726.2
100 # # $a 19981201d1998 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001yy 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Исследование методом эллипсометрии диэлектрических и полупроводниковых структур микроэлектроники  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук  $e 01.04.10  $f Гос унитар. предприятие "Науч.-произв. предприятие "Пульсар"", Акционер. об-во открыт. типа "НИИ микроэлектроники и нанотехнологии "Дельта"" 
210 # # $a М.  $d 1998 
215 # # $a 65 с. 
300 # # $a Библиогр.: c.58-65 (69 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar60422  $a ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar9575  $a ДИЭЛЕКТРИКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24594  $a ПОЛУПРОВОДНИКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar18370  $a МИКРОЭЛЕКТРОНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar60423  $a ЭЛІПСАМЕТРЫЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar9576  $a ДЫЭЛЕКТРЫКІ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24595  $a ПАЎПРАВАДНІКІ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar18371  $a МІКРАЭЛЕКТРОНІКА  $2 DVNLB 
686 # # $a 47.03.05  $2 rugasnti 
686 # # $a 26.19.31  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-450873  $a Резвый  $b Р. Р.  $g Ростислав Ростиславович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19981201  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo