Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN.Разработка технологии выращивания и исследования свойств: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе
Сохранено в:
| 格式: | |
|---|---|
| 主要作者: | Лундин, В. В. |
| 出版: | СПб. , 1998 |
| 實物描述: |
19 с.
|
| 語言: | Русский |
| 主題: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | 可用 預訂 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||