Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN.Разработка технологии выращивания и исследования свойств: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе
Enregistré dans:
| Format: | |
|---|---|
| Auteur principal: | Лундин, В. В. |
| Publié: | СПб. , 1998 |
| Description matérielle: |
19 с.
|
| Langue: | Русский |
| Sujets: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Réserver | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||