|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br169478 |
| 005 |
20101014100329.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 19981014d1998 u y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 105 |
# |
# |
$a y 001yy
|
| 109 |
# |
# |
$a aa
$a ac
|
| 200 |
1 |
# |
$a Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN.Разработка технологии выращивания и исследования свойств
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
$e 01.04.10
$f Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе
|
| 210 |
# |
# |
$a СПб.
$d 1998
|
| 215 |
# |
# |
$a 19 с.
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: c. 18-19(21 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar21873
$a ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24602
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar21874
$a ОПТАЭЛЕКТРОНІКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24603
$a ПАЎПРАВАДНІКОВАЯ ЭЛЕКТРОНІКА
$2 DVNLB
|
| 610 |
0 |
# |
$a многослойные гетероструктуры
|
| 610 |
0 |
# |
$a Мнагаслойныя гетэраструктуры
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-449043
$a Лундин
$b В. В.
$g Всеволод Владимирович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 19981014
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060316
$g psbo
|
