
Оптические свойства модифицированных лазерным излучением полупроводников GaAs и InP: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.05 / Нац. АН Кыргыз. Респ., Ин-т физики
Zapisane w:
Format: | |
---|---|
1. autor: | Джумамухамбетов, Н. Г. |
Wydane: | Бишкек , 1998 |
Opis fizyczny: |
41 с.
|
Język: | Русский |
Hasła przedmiotowe: |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Dostępne Zamów | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|