Неразрушающий электрический контроль структур SiO2-Si в производстве МОП-транзисторов и МОП БИС: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: 05.27.01 / Воронеж. гос. ун-т

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад28759,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Бутусов, И. Ю.
Опубликовано: Воронеж , 1998
Физические характеристики: 18 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br168631
005 20221222093438.0
100 # # $a 19980617d1998 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a a m 001yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Неразрушающий электрический контроль структур SiO2-Si в производстве МОП-транзисторов и МОП БИС  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $e 05.27.01  $f Воронеж. гос. ун-т 
210 # # $a Воронеж  $d 1998 
215 # # $a 18 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 17-18 (12 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar32976  $a ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2287762  $a ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar3297535  $a ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar64055  $a МОП-СТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2105390  $a БОЛЬШИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar14373457  $a ЗАТВОРЫ (электроника)  $2 DVNLB 
686 # # $a 47.14.07  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.13.11  $2 rugasnti 
686 # # $a 59.45  $2 rugasnti 
686 # # $a 05.27.01  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-446248  $a Бутусов  $b И. Ю.  $g Игорь Юрьевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19980617  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo