Неразрушающий электрический контроль структур SiO2-Si в производстве МОП-транзисторов и МОП БИС: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: 05.27.01 / Воронеж. гос. ун-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Бутусов, И. Ю. |
| Опубликовано: | Воронеж , 1998 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||