Процессы эпитаксиального выращивания легированных структур на основе соединений А3В5 и исследование их характеристик: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: 05.27.06 / Нац. АН Украины, Ин-т физики полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Нгуен, С. Н. |
| Опубликовано: | Киев , 1994 |
| Физические характеристики: |
15 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||