Моделирование и разработка технологических процессов и маршрутов формирования самосовмещенных биполярных транзисторных структур для сверхбыстродействующих СБИС: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: 05.27.01 / Моск. гос. ин-т электрон. техники(Техн. ун-т)

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад24041,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Муратчаев, С. А.
Опубликовано: М. , 1994
Физические характеристики: 24 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br162895
005 20070615190602.4
100 # # $a 19930101d1994 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001yy 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Моделирование и разработка технологических процессов и маршрутов формирования самосовмещенных биполярных транзисторных структур для сверхбыстродействующих СБИС  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $e 05.27.01  $f Моск. гос. ин-т электрон. техники(Техн. ун-т) 
210 # # $a М.  $d 1994 
215 # # $a 24 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 23-24 (9 назв.) 
686 # # $a 29.35.47  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.33.29  $2 rugasnti 
686 # # $a 05.27.01  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-437136  $a Муратчаев  $b С. А.  $g Султанхан Абдулвагабович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo