Моделирование и разработка технологических процессов и маршрутов формирования самосовмещенных биполярных транзисторных структур для сверхбыстродействующих СБИС: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: 05.27.01 / Моск. гос. ин-т электрон. техники(Техн. ун-т)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Муратчаев, С. А. |
| Опубликовано: | М. , 1994 |
| Физические характеристики: |
24 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||