Исследование электрически активных дефектов в кристаллах CdxHg1-xTe методами растровой электронной микроскопии: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Рос. АН, Ин-т пробл. технологии микроэлектроники и особочистых материалов

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад24038,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Панин, Г. Н.
Опубликовано: Черноголовка , 1994
Физические характеристики: 18 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br162892
005 20070615190602.1
100 # # $a 19930101d1994 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001yy 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Исследование электрически активных дефектов в кристаллах CdxHg1-xTe методами растровой электронной микроскопии  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 05.27.01  $f Рос. АН, Ин-т пробл. технологии микроэлектроники и особочистых материалов 
210 # # $a Черноголовка  $d 1994 
215 # # $a 18 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 16-18 (20 назв.) 
686 # # $a 47.33.29  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.35.43  $2 rugasnti 
686 # # $a 05.27.01  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-159242  $a Панин  $b Г. Н.  $g Геннадий Николаевич  $c кандидат физико-математических наук 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo