Исследование электрически активных дефектов в кристаллах CdxHg1-xTe методами растровой электронной микроскопии: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Рос. АН, Ин-т пробл. технологии микроэлектроники и особочистых материалов
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Панин, Г. Н. |
Опубликовано: | Черноголовка , 1994 |
Физические характеристики: |
18 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|