Природа и механизм образования радиационных и электроразрядных дефектов в SiO2/B2O3: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.18 / Азерб. гос. пед. ун-т им. Н.Туси

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад14067,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Панахов, Н. Т.
Опубликовано: Баку , 1994
Физические характеристики: 21 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br152644
005 20190521112049.0
100 # # $a 19930101d1994 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y 001 y 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Природа и механизм образования радиационных и электроразрядных дефектов в SiO2/B2O3  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.18  $f Азерб. гос. пед. ун-т им. Н.Туси 
210 # # $a Баку  $d 1994 
215 # # $a 21 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 20-21 (10 назв.) 
686 # # $a 01.04.18  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-417755  $a Панахов  $b Н. Т.  $g Натиг Тахир оглы 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo