Создание и исследование фотоэлектропреобразовательных структур на основе широкозонных полупроводников А3В5, интегрированных с кремнием: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / АН Туркменистана, Физ.-техн. ин-т

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад14048,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Назаров, Н.
Опубликовано: Ашгабат , 1994
Физические характеристики: 42 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br152626
005 20070615190405.2
100 # # $a 19930101d1994 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001 y 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Создание и исследование фотоэлектропреобразовательных структур на основе широкозонных полупроводников А3В5, интегрированных с кремнием  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук  $e 01.04.10  $f АН Туркменистана, Физ.-техн. ин-т 
210 # # $a Ашгабат  $d 1994 
215 # # $a 42 с. 
300 # # $a Библиорг.: с. 36-40 (42 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-418614  $a Назаров  $b Н.  $g Нурягды 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo