![](/themes/root/images/default-cover.png)
Создание и исследование фотоэлектропреобразовательных структур на основе широкозонных полупроводников А3В5, интегрированных с кремнием: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / АН Туркменистана, Физ.-техн. ин-т
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Назаров, Н. |
Опубликовано: | Ашгабат , 1994 |
Физические характеристики: |
42 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|