Матаматическое моделирование субмикронных биполярных гетероструктурных транзисторов на основе полупроводниковых материалов А3В5: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / Моск. физ.-техн. ин-т РАН
Saved in:
| Format: | |
|---|---|
| Main Author: | Карташов, С. Е. |
| Published: | М. , 1994 |
| Physical Description: |
13 с.
|
| Language: | Russian |
ОФХ отдела книгохранения
| All : 1 , available: 1 | Available Place a Hold | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||