Матаматическое моделирование субмикронных биполярных гетероструктурных транзисторов на основе полупроводниковых материалов А3В5: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / Моск. физ.-техн. ин-т РАН
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Карташов, С. Е. |
| Апублікавана: | М. , 1994 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
13 с.
|
| Мова: | Руская |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||