Исследование методом спектроскопии полного тока электронной структуры и эмиссионных свойств поверхности ШГК и монокристаллов W и Mo, имплантированных щелочными ионами: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / АН Респ. Узбекистан, Ин-т электроники им. У.А.Арифова

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад13668,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Болтаев, Н. Н.
Опубликовано: Ташкент , 1994
Физические характеристики: 24 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br152163
005 20070615190356.6
100 # # $a 19930101d1994 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001 y 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Исследование методом спектроскопии полного тока электронной структуры и эмиссионных свойств поверхности ШГК и монокристаллов W и Mo, имплантированных щелочными ионами  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.04  $f АН Респ. Узбекистан, Ин-т электроники им. У.А.Арифова 
210 # # $a Ташкент  $d 1994 
215 # # $a 24 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 21-22 (13 назв.) 
686 # # $a 01.04.04  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-417093  $a Болтаев  $b Н. Н.  $g Нодир Низамович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo