Исследование методом спектроскопии полного тока электронной структуры и эмиссионных свойств поверхности ШГК и монокристаллов W и Mo, имплантированных щелочными ионами: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / АН Респ. Узбекистан, Ин-т электроники им. У.А.Арифова
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Болтаев, Н. Н. |
| Опубликовано: | Ташкент , 1994 |
| Физические характеристики: |
24 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||