Разработка эпитаксильно-диффузионной технологии получения ALGaAs-GaAs гетерофотопреобразователей из тонких зазоров и исследование их свойств в условиях воздействия корпускулярного излучения: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Ташкент. гос. ун-т

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад11200,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Алаев, А. А.
Опубликовано: Ташкент , 1995
Физические характеристики: 22 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br149333
005 20070615190321.1
100 # # $a 19930101d1995 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Разработка эпитаксильно-диффузионной технологии получения ALGaAs-GaAs гетерофотопреобразователей из тонких зазоров и исследование их свойств в условиях воздействия корпускулярного излучения  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.10  $f Ташкент. гос. ун-т 
210 # # $a Ташкент  $d 1995 
215 # # $a 22 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 20 (10 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar14758  $a КОРПУСКУЛЯРНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar14759  $a КАРПУСКУЛЯРНАЕ ВЫПРАМЕНЬВАННЕ  $2 DVNLB 
610 0 # $a Эпитаксиальная технология 
610 0 # $a зазор 
610 0 # $a гетероструктура 
610 0 # $a Эпітаксіальная тэхналогія 
610 0 # $a гетэраструктура 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-411433  $a Алаев  $b А. А.  $g Абдугапур Абдулазизович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo