Разработка эпитаксильно-диффузионной технологии получения ALGaAs-GaAs гетерофотопреобразователей из тонких зазоров и исследование их свойств в условиях воздействия корпускулярного излучения: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Ташкент. гос. ун-т
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Алаев, А. А. |
Опубликовано: | Ташкент , 1995 |
Физические характеристики: |
22 с.
|
Язык: | Русский |
Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|