Физические явления в структурах с двойной инжекцией на основе компенсированных полупроводников: Автореф.дис.на соиск.учен.степ.д-ра физ.-мат.наук: 01.04.07 / Нац.АН Респ.Армения,Ин-т приклад.проблем физики

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад7608,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Гаспарян, Ф. В.
Опубликовано: Ереван , 1995
Физические характеристики: 32с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br145985
005 20140618141510.0
100 # # $a 19930101d1995 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Физические явления в структурах с двойной инжекцией на основе компенсированных полупроводников  $e Автореф.дис.на соиск.учен.степ.д-ра физ.-мат.наук  $e 01.04.07  $f Нац.АН Респ.Армения,Ин-т приклад.проблем физики 
210 # # $a Ереван  $d 1995 
215 # # $a 32с. 
300 # # $a Библиогр:c.28-31(33назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar53218  $a ИНЖЕКЦИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar35849  $a ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar53219  $a ІНЖЭКЦЫЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar35850  $a ФІЗІКА ЦВЁРДАГА ЦЕЛА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24594  $a ПОЛУПРОВОДНИКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24595  $a ПАЎПРАВАДНІКІ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar5333445  $a КОМПЕНСИРОВАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ  $2 DVNLB 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-402405  $a Гаспарян  $b Ф. В.  $g Фердинанд Вазгенович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo