Физические явления в структурах с двойной инжекцией на основе компенсированных полупроводников: Автореф.дис.на соиск.учен.степ.д-ра физ.-мат.наук: 01.04.07 / Нац.АН Респ.Армения,Ин-т приклад.проблем физики
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гаспарян, Ф. В. |
| Опубликовано: | Ереван , 1995 |
| Физические характеристики: |
32с.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||