Светодиодные структуры на основе GalnAsSb, полученного из жидкой фазы, обогащенной сурьмой: Автореф.дис.на соиск.учен.степ.канд.физ.-мат.наук: 01.04.10 / Ташк.гос.ун-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Паттахов, А. А. |
| Опубликовано: | Ташкент , 1995 |
| Физические характеристики: |
21с.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||