Создание полупроводниковых ИК приемников на основе Pb1-xSnxSe методом молекулярной эпитаксии ("горячей стенки") и исследование их характеристик: Автореф.дис.на соиск.учен.степ.канд.физ.-мат.наук: (01.04.07) / АН России,Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева,Перм.гос.ун-т им.А.М.Горького

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад1348,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Подтаев, С. Ю.
Опубликовано: Пермь , 1993
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br140746
005 20240117135513.0
100 # # $a 19930101d1993 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y km 001yy 
200 1 # $a Создание полупроводниковых ИК приемников на основе Pb1-xSnxSe методом молекулярной эпитаксии ("горячей стенки") и исследование их характеристик  $e Автореф.дис.на соиск.учен.степ.канд.физ.-мат.наук: (01.04.07)  $f АН России,Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева,Перм.гос.ун-т им.А.М.Горького 
210 # # $a Пермь  $d 1993 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a Библиогр.: с.16 (6 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24592  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2282245  $a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar25458  $a ПРИЕМНИКИ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ  $2 DVNLB 
675 # # $a 537.311.322(043.3)  $v 3  $z rus 
686 # # $a 29.19.31.  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-387877  $a Подтаев  $b С. Ю.  $g Сергей Юрьевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo