Создание полупроводниковых ИК приемников на основе Pb1-xSnxSe методом молекулярной эпитаксии ("горячей стенки") и исследование их характеристик: Автореф.дис.на соиск.учен.степ.канд.физ.-мат.наук: (01.04.07) / АН России,Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева,Перм.гос.ун-т им.А.М.Горького
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Подтаев, С. Ю. |
| Опубликовано: | Пермь , 1993 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||