
Study of the charge multiplication phenomenon in silicon epitaxial detector / [Auth.]: Yu. G. Sobolev, V. F. Kushniruk, E. Bialkowski, S. V. Khlebnikov, Yu. E. Penionzhkevich, W. Trzaska
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Опубликовано: | Dubna : The Joint Inst. for Nuclear Research , 1999 |
Физические характеристики: |
6 p.
|
Язык: | Английский |
Серия: |
Prepr.
E13-99-185 ) |
Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|