Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 1.3.11
Guardado en:
| Formato: | |
|---|---|
| Autor principal: | Малин, Т. В. |
| Publicado: | Новосибирск , 2025 |
| Descripción Física: |
20 с.
|
| Lenguaje: | Русский |